Toshiba Semiconductor and Storage - TK80S06K3L(T6L1,NQ

KEY Part #: K6419355

TK80S06K3L(T6L1,NQ Hinnakujundus (USD) [106880tk Laos]

  • 1 pcs$0.38999
  • 2,000 pcs$0.38805

Osa number:
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Tootja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - IGBT - üksikud, Dioodid - alaldid - massiivid and Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ electronic components. TK80S06K3L(T6L1,NQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK80S06K3L(T6L1,NQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK80S06K3L(T6L1,NQ Toote atribuudid

Osa number : TK80S06K3L(T6L1,NQ
Tootja : Toshiba Semiconductor and Storage
Kirjeldus : MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
Sari : U-MOSIV
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 60V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 80A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 6V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 5.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 3V @ 1mA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 85nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 10V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 100W (Tc)
Töötemperatuur : 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : DPAK+
Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Samuti võite olla huvitatud