Vishay Siliconix - SQV120N06-4M7L_GE3

KEY Part #: K6417898

SQV120N06-4M7L_GE3 Hinnakujundus (USD) [45191tk Laos]

  • 1 pcs$0.86522

Osa number:
SQV120N06-4M7L_GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - IGBT-moodulid and Dioodid - sillaldid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SQV120N06-4M7L_GE3 electronic components. SQV120N06-4M7L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQV120N06-4M7L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQV120N06-4M7L_GE3 Toote atribuudid

Osa number : SQV120N06-4M7L_GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Sari : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 60V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 4.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 230nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 8800pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 250W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : TO-262-3
Pakett / kohver : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Samuti võite olla huvitatud
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.