Vishay Siliconix - SIHB22N65E-GE3

KEY Part #: K6392762

SIHB22N65E-GE3 Hinnakujundus (USD) [17545tk Laos]

  • 1 pcs$2.34893
  • 10 pcs$2.09685
  • 100 pcs$1.71926
  • 500 pcs$1.39216
  • 1,000 pcs$1.17411

Osa number:
SIHB22N65E-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Dioodid - sillaldid, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - IGBT - massiivid, Elektrijuhi moodulid, Türistorid - SCR and Türistorid - TRIAC-d ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB22N65E-GE3 electronic components. SIHB22N65E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB22N65E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB22N65E-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SIHB22N65E-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Sari : -
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 650V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 110nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 2415pF @ 100V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 227W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : D2PAK
Pakett / kohver : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB