Infineon Technologies - BSC018NE2LSATMA1

KEY Part #: K6420154

BSC018NE2LSATMA1 Hinnakujundus (USD) [164965tk Laos]

  • 1 pcs$0.22421
  • 5,000 pcs$0.21525

Osa number:
BSC018NE2LSATMA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - JFET-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Elektrijuhi moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Dioodid - sillaldid, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors and Transistorid - IGBT - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies BSC018NE2LSATMA1 electronic components. BSC018NE2LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC018NE2LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC018NE2LSATMA1 Toote atribuudid

Osa number : BSC018NE2LSATMA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Sari : OptiMOS™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 25V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 29A (Ta), 100A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 39nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 12V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PG-TDSON-8
Pakett / kohver : 8-PowerTDFN

Samuti võite olla huvitatud
  • TK15S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 15A DPAK.

  • AUIRFR120Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.

  • IRLR3103TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

  • AUIRLR024NTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR3711TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK.

  • TK6P53D(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3.