Osa number :
SI3853DV-T1-GE3
Tootja :
Vishay Siliconix
Kirjeldus :
MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
20V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
1.6A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
2.5V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, Vgs :
200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
500mV @ 250µA (Min)
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
VG (maksimaalselt) :
±12V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET funktsioon :
Schottky Diode (Isolated)
Võimsuse hajumine (max) :
830mW (Ta)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Tarnija seadme pakett :
6-TSOP
Pakett / kohver :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6