Infineon Technologies - IPG20N06S4L14AATMA1

KEY Part #: K6525245

IPG20N06S4L14AATMA1 Hinnakujundus (USD) [147459tk Laos]

  • 1 pcs$0.25083
  • 5,000 pcs$0.23012

Osa number:
IPG20N06S4L14AATMA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - IGBT - massiivid, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid and Transistorid - JFET-id ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N06S4L14AATMA1 electronic components. IPG20N06S4L14AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N06S4L14AATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N06S4L14AATMA1 Toote atribuudid

Osa number : IPG20N06S4L14AATMA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Sari : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Osa olek : Active
FET tüüp : 2 N-Channel (Dual)
FET funktsioon : Logic Level Gate
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 60V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 20A
Rds sees (max) @ id, Vgs : 13.7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.2V @ 20µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 39nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 2890pF @ 25V
Võimsus - max : 50W
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : 8-PowerVDFN
Tarnija seadme pakett : PG-TDSON-8-10