IXYS - IXTP32N20T

KEY Part #: K6395128

IXTP32N20T Hinnakujundus (USD) [49877tk Laos]

  • 1 pcs$0.90601
  • 50 pcs$0.90151

Osa number:
IXTP32N20T
Tootja:
IXYS
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 200V 32A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - IGBT - massiivid, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Dioodid - sillaldid and Dioodid - Zener - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in IXYS IXTP32N20T electronic components. IXTP32N20T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP32N20T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP32N20T Toote atribuudid

Osa number : IXTP32N20T
Tootja : IXYS
Kirjeldus : MOSFET N-CH 200V 32A TO-220
Sari : -
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 200V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 72 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 38nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 1760pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 200W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : TO-220AB
Pakett / kohver : TO-220-3