Vishay Siliconix - SI7461DP-T1-GE3

KEY Part #: K6397704

SI7461DP-T1-GE3 Hinnakujundus (USD) [92351tk Laos]

  • 1 pcs$0.42339
  • 3,000 pcs$0.33771

Osa number:
SI7461DP-T1-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - Zener - üksikud, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - RF, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - JFET-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SI7461DP-T1-GE3 electronic components. SI7461DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7461DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7461DP-T1-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SI7461DP-T1-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Sari : TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : P-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 60V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 8.6A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 14.5 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 3V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 190nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 1.9W (Ta)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PowerPAK® SO-8
Pakett / kohver : PowerPAK® SO-8

Samuti võite olla huvitatud
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.