GeneSiC Semiconductor - GA50JT17-247

KEY Part #: K6412450

GA50JT17-247 Hinnakujundus (USD) [13441tk Laos]

  • 90 pcs$98.85087

Osa number:
GA50JT17-247
Tootja:
GeneSiC Semiconductor
Täpsem kirjeldus:
TRANS SJT 1.7KV 100A.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Dioodid - Zener - massiivid, Dioodid - sillaldid, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - JFET-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF and Dioodid - Zener - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247 electronic components. GA50JT17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA50JT17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA50JT17-247 Toote atribuudid

Osa number : GA50JT17-247
Tootja : GeneSiC Semiconductor
Kirjeldus : TRANS SJT 1.7KV 100A
Sari : -
Osa olek : Obsolete
FET tüüp : -
Tehnoloogia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 1700V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : -
Rds sees (max) @ id, Vgs : 25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : -
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : -
VG (maksimaalselt) : -
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 583W (Tc)
Töötemperatuur : 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : TO-247
Pakett / kohver : TO-247-3
Samuti võite olla huvitatud
  • IRLR3705Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRFR2307Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

  • IRFR2607Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

  • IRFR1010Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • GP2M002A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

  • IRFR4104TRR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.