Microsemi Corporation - APTGF50VDA120T3G

KEY Part #: K6533712

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT-moodulid, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Microsemi Corporation APTGF50VDA120T3G electronic components. APTGF50VDA120T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGF50VDA120T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : APTGF50VDA120T3G

Tootja : Microsemi Corporation

Kirjeldus : POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3

Sari : -

Osa olek : Obsolete

IGBT tüüp : NPT

Seadistamine : Dual Boost Chopper

Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 1200V

Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 70A

Võimsus - max : 312W

Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 50A

Praegune - koguja väljalülitus (max) : 250µA

Sisendmahtuvus (Cies) @ Vce : 3.45nF @ 25V

Sisend : Standard

NTC termistor : Yes

Töötemperatuur : -

Paigaldus tüüp : Chassis Mount

Pakett / kohver : SP3

Tarnija seadme pakett : SP3

Samuti võite olla huvitatud

VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.
VS-GB75SA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE IGBT SOT-227.
VS-GB70NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 111A 447W SOT-227.
VS-GB75DA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE IGBT SOT-227.

Kuumad osad