Vishay Siliconix - SI7110DN-T1-E3

KEY Part #: K6419513

SI7110DN-T1-E3 Hinnakujundus (USD) [115856tk Laos]

  • 1 pcs$0.31925
  • 3,000 pcs$0.26982

Osa number:
SI7110DN-T1-E3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - eriotstarbelised, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors and Elektrijuhi moodulid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SI7110DN-T1-E3 electronic components. SI7110DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7110DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7110DN-T1-E3 Toote atribuudid

Osa number : SI7110DN-T1-E3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
Sari : TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 20V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 13.5A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 21nC @ 4.5V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 1.5W (Ta)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PowerPAK® 1212-8
Pakett / kohver : PowerPAK® 1212-8

Samuti võite olla huvitatud