Vishay Siliconix - SIR606BDP-T1-RE3

KEY Part #: K6396200

SIR606BDP-T1-RE3 Hinnakujundus (USD) [135773tk Laos]

  • 1 pcs$0.27242

Osa number:
SIR606BDP-T1-RE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Türistorid - SCR - moodulid, Türistorid - TRIAC-d, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - IGBT-moodulid and Elektrijuhi moodulid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SIR606BDP-T1-RE3 electronic components. SIR606BDP-T1-RE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR606BDP-T1-RE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR606BDP-T1-RE3 Toote atribuudid

Osa number : SIR606BDP-T1-RE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Sari : TrenchFET® Gen IV
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 100V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 7.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 17.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 30nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 1470pF @ 50V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PowerPAK® SO-8
Pakett / kohver : PowerPAK® SO-8

Samuti võite olla huvitatud
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • FDN357N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3.

  • NDS0605

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23.

  • SI2318DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23.

  • SI4497DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC.