Infineon Technologies - IPB60R360P7ATMA1

KEY Part #: K6419434

IPB60R360P7ATMA1 Hinnakujundus (USD) [111917tk Laos]

  • 1 pcs$0.33049

Osa number:
IPB60R360P7ATMA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
MOSFET TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - üksikud, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - RF, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Dioodid - alaldid - ühekordsed and Transistorid - IGBT - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies IPB60R360P7ATMA1 electronic components. IPB60R360P7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R360P7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R360P7ATMA1 Toote atribuudid

Osa number : IPB60R360P7ATMA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : MOSFET TO263-3
Sari : CoolMOS™ P7
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 600V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 140µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 13nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 555pF @ 400V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 41W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : D²PAK (TO-263AB)
Pakett / kohver : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB