Vishay Siliconix - SIHFR1N60A-GE3

KEY Part #: K6405257

SIHFR1N60A-GE3 Hinnakujundus (USD) [84252tk Laos]

  • 1 pcs$0.46409

Osa number:
SIHFR1N60A-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - JFET-id, Transistorid - IGBT-moodulid, Dioodid - RF, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF and Dioodid - Zener - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SIHFR1N60A-GE3 electronic components. SIHFR1N60A-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHFR1N60A-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHFR1N60A-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SIHFR1N60A-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Sari : -
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 600V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 14nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 229pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 36W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : TO-252AA
Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63