Microsemi Corporation - JANTXV1N1206A

KEY Part #: K6444566

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - eriotstarbelised and Transistorid - FET, MOSFET - RF ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N1206A electronic components. JANTXV1N1206A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N1206A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : JANTXV1N1206A

Tootja : Microsemi Corporation

Kirjeldus : DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA

Sari : Military, MIL-PRF-19500/260

Osa olek : Active

Dioodi tüüp : Standard

Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 600V

Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 12A

Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.35V @ 38A

Kiirus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Vastupidine taastumisaeg (trr) : -

Praegune - vastupidine leke @ Vr : 5µA @ 600V

Mahtuvus @ Vr, F : -

Paigaldus tüüp : Chassis, Stud Mount

Pakett / kohver : DO-203AA, DO-4, Stud

Tarnija seadme pakett : DO-203AA (DO-4)

Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 150°C

Samuti võite olla huvitatud

VS-30WQ03FNTRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 3.5A DPAK.
VS-8EWF10STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
VS-8EWF04STRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 8A DPAK.
VS-HFA04SD60STRRP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.
VS-8EWF02STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 8A DPAK.
VS-8EWF04STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 8A DPAK.

Kuumad osad